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RV4C020ZPHZGTCR1

RV4C020ZPHZGTCR1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1616-6W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details RV4C020ZPHZGTCR1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DFN1616, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RV4C020ZPHZGTCR1 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM 3171078.pdf Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.7 EUR
229+1.01 EUR
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500+0.49 EUR
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RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM 3171078.pdf Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
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RV4C020ZPHZGTCR1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 1.5W
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Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RV4C020ZPHZGTCR1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MOSFETs AECQ
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