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Technische Details RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DFN1616, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.
Weitere Produktangebote RV4C020ZPHZGTCR1 nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RV4C020ZPHZGTCR1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1616-6W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V |
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RV4C020ZPHZGTCR1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: DFN1616 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
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RV4C020ZPHZGTCR1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: DFN1616 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
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RV4C020ZPHZGTCR1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1616-6W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V |
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