RV8L002SNHZGG2CR ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFETs Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 60V 250mA, Small Signal MOSFET for Automotive.
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 0.72 EUR |
| 10+ | 0.58 EUR |
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| 500+ | 0.40 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 8000+ | 0.27 EUR |
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Technische Details RV8L002SNHZGG2CR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm.
Weitere Produktangebote RV8L002SNHZGG2CR nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1010-3W Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
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RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
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| RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RV8L002SNHZGG2CR SMD N channel transistors |
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RV8L002SNHZGG2CR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1010-3W Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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