RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 14+ | 1.27 EUR |
| 17+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
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Technische Details RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RW4E045ATTCL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.034 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DFN1616, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RW4E045ATTCL1 nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RW4E045ATTCL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -30V -4.5A Power MOSFET |
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RW4E045ATTCL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RW4E045ATTCL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.034 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: DFN1616 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RW4E045ATTCL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RW4E045ATTCL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.034 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: DFN1616 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RW4E045ATTCL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1616-7T Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V |
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