Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RX2L10BBGC7G
RX2L10BBGC7G

RX2L10BBGC7G ROHM Semiconductor

rx2l10bbgc7g-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs RX2L10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.2 EUR
10+8.16 EUR
100+5.45 EUR
500+4.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RX2L10BBGC7G ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RX2L10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1840 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm.

Weitere Produktangebote RX2L10BBGC7G nach Preis ab 5.05 EUR bis 14.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RX2L10BBGC7G RX2L10BBGC7G Rohm Semiconductor rx2l10bbgc7g-e.pdf Description: NCH 60V 180A, TO-220FP, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.44 EUR
30+7.09 EUR
60+6.45 EUR
120+5.91 EUR
510+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX2L10BBGC7G RX2L10BBGC7G ROHM rx2l10bbgc7g-e.pdf Description: ROHM - RX2L10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1840 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.4 EUR
25+9.42 EUR
100+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX2L10BBGC7G Rohm Semiconductor rx2l10bbgc7g-e.pdf RX2L10BBGC7G
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX2L10BBGC7G rx2l10bbgc7g-e.pdf
RX2L10BBGC7G
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 180A, TO-220FP, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.44 EUR
30+7.09 EUR
60+6.45 EUR
120+5.91 EUR
510+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX2L10BBGC7G rx2l10bbgc7g-e.pdf
RX2L10BBGC7G
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX2L10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1840 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.4 EUR
25+9.42 EUR
100+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX2L10BBGC7G rx2l10bbgc7g-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
RX2L10BBGC7G
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH