RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 3.17 EUR |
| 57+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 250+ | 2.69 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
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Technische Details RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 89W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.
Weitere Produktangebote RX3L07BBGC16 nach Preis ab 3.28 EUR bis 10.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RX3L07BBGC16 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V |
auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RX3L07BBGC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RX3L07BBGC16 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive) |
auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RX3L07BBGC16 | ROHM |
Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 89W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RX3L07BBGC16 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7 EUR |
| 50+ | 5.55 EUR |
| 100+ | 4.75 EUR |
| 500+ | 4.22 EUR |
| RX3L07BBGC16 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 8.4 EUR |
| 24+ | 7.09 EUR |
| RX3L07BBGC16 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.6 EUR |
| 10+ | 4.44 EUR |
| 100+ | 4.05 EUR |
| 500+ | 3.53 EUR |
| 1000+ | 3.39 EUR |
| 2000+ | 3.28 EUR |
| RX3L07BBGC16 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.27 EUR |
| 39+ | 6.1 EUR |




