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RX3L07BBGC16

RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor

rx3l07bbgc16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
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57+3.03 EUR
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Technische Details RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7 EUR
50+5.55 EUR
100+4.75 EUR
500+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor rx3l07bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
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21+8.5 EUR
24+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs RX3L07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
auf Bestellung 1965 Stücke:
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1+8.65 EUR
10+8 EUR
25+4.82 EUR
100+4.38 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.61 EUR
2000+3.45 EUR
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RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 ROHM rx3l07bbgc16-e.pdf Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 82 Stücke:
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26+9.62 EUR
51+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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RX3L07BBGC16
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
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24+7.18 EUR
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MOSFETs RX3L07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
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10+8 EUR
25+4.82 EUR
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1000+3.61 EUR
2000+3.45 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 82 Stücke:
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26+9.62 EUR
51+4.62 EUR
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