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RX3L18BBGC16

RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor

rx3l18bbgc16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
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Technische Details RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1840 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 192W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RX3L18BBGC16 RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor rx3l18bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
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RX3L18BBGC16 RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3L18BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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RX3L18BBGC16 RX3L18BBGC16 ROHM rx3l18bbgc16-e.pdf Description: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1840 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm
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RX3L18BBGC16 RX3L18BBGC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3L18BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
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auf Bestellung 197 Stücke:
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Description: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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RX3L18BBGC16
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1840 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm
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17+15.27 EUR
24+10 EUR
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MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 1956 Stücke:
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