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RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor


rx3l18bbgc16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
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Technische Details RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.00141 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00141ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RX3L18BBGC16 RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3L18BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 970 Stücke:
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2+14.43 EUR
50+11.52 EUR
100+10.32 EUR
500+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RX3L18BBGC16 RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor rx3l18bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 197 Stücke:
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12+14.57 EUR
14+13.03 EUR
50+7.74 EUR
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RX3L18BBGC16 RX3L18BBGC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3L18BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
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100+8.04 EUR
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RX3L18BBGC16 RX3L18BBGC16 ROHM rx3l18bbgc16-e.pdf Description: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.00141 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00141ohm
SVHC: To Be Advised
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14+18.74 EUR
19+12.41 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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100+10.32 EUR
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14+13.03 EUR
50+7.74 EUR
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RX3L18BBGC16 datasheet?p=RX3L18BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
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100+8.04 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.00141 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00141ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 82 Stücke:
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