RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor
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Technische Details RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 135W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.
Weitere Produktangebote RX3P07CBHC16 nach Preis ab 4.37 EUR bis 11.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RX3P07CBHC16 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RX3P07CBHC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RX3P07CBHC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RX3P07CBHC16 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RX3P07CBHC16 | ROHM |
Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 135W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RX3P07CBHC16 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive) |
auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RX3P07CBHC16 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
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| 26+ | 8.09 EUR |
| RX3P07CBHC16 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
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| 21+ | 8.94 EUR |
| RX3P07CBHC16 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
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| 20+ | 9.06 EUR |
| RX3P07CBHC16 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
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| 2+ | 10.81 EUR |
| 10+ | 7.24 EUR |
| 100+ | 5.22 EUR |
| 500+ | 4.37 EUR |
| RX3P07CBHC16 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.17 EUR |
| 34+ | 6.94 EUR |
| RX3P07CBHC16 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.77 EUR |
| 10+ | 6.24 EUR |
| 100+ | 5.71 EUR |
| 500+ | 5.34 EUR |
| 1000+ | 4.99 EUR |