Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3P10BBHC16
RX3P10BBHC16

RX3P10BBHC16 Rohm Semiconductor

rx3p10bbhc16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+8.83 EUR
30+5.78 EUR
50+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RX3P10BBHC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 189W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Weitere Produktangebote RX3P10BBHC16 nach Preis ab 4.45 EUR bis 16.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RX3P10BBHC16 RX3P10BBHC16 Rohm Semiconductor rx3p10bbhc16-e.pdf Description: NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.37 EUR
10+6.22 EUR
100+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3P10BBHC16 RX3P10BBHC16 Rohm Semiconductor rx3p10bbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.91 EUR
50+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3P10BBHC16 RX3P10BBHC16 ROHM Semiconductor rx3p10bbhc16-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.42 EUR
10+11.22 EUR
100+8.27 EUR
1000+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3P10BBHC16 RX3P10BBHC16 ROHM rx3p10bbhc16-e.pdf Description: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.65 EUR
22+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3P10BBHC16 rx3p10bbhc16-e.pdf
RX3P10BBHC16
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.37 EUR
10+6.22 EUR
100+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3P10BBHC16 rx3p10bbhc16-e.pdf
RX3P10BBHC16
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.91 EUR
50+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3P10BBHC16 rx3p10bbhc16-e.pdf
RX3P10BBHC16
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.42 EUR
10+11.22 EUR
100+8.27 EUR
1000+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3P10BBHC16 rx3p10bbhc16-e.pdf
RX3P10BBHC16
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.65 EUR
22+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH