RX3R05BBHC16 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details RX3R05BBHC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3R05BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RX3R05BBHC16 nach Preis ab 2.14 EUR bis 6.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RX3R05BBHC16 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 50A(Id), (6.0V, 10V Drive) |
auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RX3R05BBHC16 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 150V 50A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RX3R05BBHC16 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RX3R05BBHC16 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RX3R05BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |