RZF030P01TL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
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Technische Details RZF030P01TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RZF030P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RZF030P01TL nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RZF030P01TL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, 1.5A |
auf Bestellung 6752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RZF030P01TL | ROHM |
Description: ROHM - RZF030P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RZF030P01TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TUMT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 47030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RZF030P01TL |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RZF030P01TL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, 1.5A
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, 1.5A
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.87 EUR |
| 10+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 3000+ | 0.44 EUR |
| RZF030P01TL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RZF030P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RZF030P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
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Verlustleistung: 800mW
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.93 EUR |
| 179+ | 1.3 EUR |
| 251+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| RZF030P01TL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 47030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 2.05 EUR |
| 17+ | 1.29 EUR |
| 100+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| RZF030P01TL |
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)