RZF030P01TL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 6 V
auf Bestellung 42000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.4 EUR |
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| 9000+ | 0.35 EUR |
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Technische Details RZF030P01TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RZF030P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RZF030P01TL nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RZF030P01TL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, 1.5A |
auf Bestellung 9697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RZF030P01TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 6 V |
auf Bestellung 48318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RZF030P01TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RZF030P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RZF030P01TL |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| RZF030P01TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -12A Case: TUMT3 Drain-source voltage: -12V Drain current: -3A On-state resistance: 144mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RZF030P01TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -12A Case: TUMT3 Drain-source voltage: -12V Drain current: -3A On-state resistance: 144mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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