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RZR025P01TL

RZR025P01TL Rohm Semiconductor

RSR025N03TL_1.jpg
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
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Technische Details RZR025P01TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RZR025P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote RZR025P01TL nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RZR025P01TL RZR025P01TL Rohm Semiconductor RSR025N03TL_1.jpg Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 8935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
23+0.95 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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RZR025P01TL RZR025P01TL ROHM ROHM-S-A0009016508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RZR025P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
231+1 EUR
309+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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RZR025P01TL RZR025P01TL ROHM Semiconductor RSR025N03TL_1.jpg MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.38 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RZR025P01TL RSR025N03TL_1.jpg
RZR025P01TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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AnzahlPrivatkunde
19+1.11 EUR
23+0.95 EUR
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500+0.51 EUR
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RZR025P01TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RZR025P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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RZR025P01TL
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MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A
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3+1.55 EUR
10+1.05 EUR
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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