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S29GL01GS12DHVV10

S29GL01GS12DHVV10 Infineon / Cypress

CYPR_S_A0011119701_1-3004839.pdf
Hersteller: Infineon / Cypress
NOR Flash Nor
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Technische Details S29GL01GS12DHVV10 Infineon / Cypress

Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: -, Zugriffszeit: 120ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Speichergröße: 1Gbit, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.

Weitere Produktangebote S29GL01GS12DHVV10 nach Preis ab 17.34 EUR bis 58.26 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S29GL01GS12DHVV10 S29GL01GS12DHVV10 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
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6+43.98 EUR
10+37.87 EUR
25+33.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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S29GL01GS12DHVV10 S29GL01GS12DHVV10 Infineon Technologies infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-cn.pdf NOR Flash PNOR
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.59 EUR
10+41.3 EUR
25+40.02 EUR
50+38.85 EUR
100+38.01 EUR
520+37.24 EUR
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S29GL01GS12DHVV10 S29GL01GS12DHVV10 Infineon Technologies infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-cn.pdf Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 244 Stücke:
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1+58.26 EUR
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25+52.24 EUR
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S29GL01GS12DHVV10 Cypress Semiconductor infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-cn.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+17.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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S29GL01GS12DHVV10
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
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Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
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isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: Cypress Semiconductor
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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