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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 23.44 EUR |
| 10+ | 21.68 EUR |
| 25+ | 21.40 EUR |
| 100+ | 18.52 EUR |
| 260+ | 17.72 EUR |
| 520+ | 17.62 EUR |
| 1040+ | 16.49 EUR |
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Technische Details S29GL01GS12DHVV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 120ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote S29GL01GS12DHVV10 nach Preis ab 21.04 EUR bis 26.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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S29GL01GS12DHVV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGAPackaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL01GS12DHVV10 | Hersteller : Infineon / Cypress |
NOR Flash Nor |
auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL01GS12DHVV10 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 120ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL01GS12DHVV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL01GS12DHVV10 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Kind of interface: parallel Memory: 1Gb FLASH Mounting: SMD Case: BGA64 Operating voltage: 2.7...3.6V Type of integrated circuit: FLASH memory Interface: CFI; parallel Kind of memory: NOR Flash Access time: 120ns Anzahl je Verpackung: 260 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| S29GL01GS12DHVV10 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Kind of interface: parallel Memory: 1Gb FLASH Mounting: SMD Case: BGA64 Operating voltage: 2.7...3.6V Type of integrated circuit: FLASH memory Interface: CFI; parallel Kind of memory: NOR Flash Access time: 120ns |
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