S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote S29GL512S11DHIV23 nach Preis ab 11.05 EUR bis 16.17 EUR
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S29GL512S11DHIV23 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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S29GL512S11DHIV23 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV23 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
auf Bestellung 2061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV23 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
S29GL512S11DHIV23 Parallel FLASH memories - integ. circ. |
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