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S29GL512T10FHI020

S29GL512T10FHI020 Infineon Technologies


512t1gb128mb512mb64mbgltmirrorbiteclipseflashdatasheeten.pdf Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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Technische Details S29GL512T10FHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL512T10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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S29GL512T10FHI020 S29GL512T10FHI020 Hersteller : Infineon Technologies 512t1gb128mb512mb64mbgltmirrorbiteclipseflashdatasheeten.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL512T10FHI020 S29GL512T10FHI020 Hersteller : Infineon Technologies 512t1gb128mb512mb64mbgltmirrorbiteclipseflashdatasheeten.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL512T10FHI020 S29GL512T10FHI020 Hersteller : Cypress Semiconductor 2t_1-gb_128_mb_512-mb_64_mb_gl-t_mirrorbit_eclipse_flash.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL512T10FHI020 S29GL512T10FHI020 Hersteller : Infineon Technologies 512t1gb128mb512mb64mbgltmirrorbiteclipseflashdatasheeten.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL512T10FHI020 S29GL512T10FHI020 Hersteller : Infineon Technologies 512t1gb128mb512mb64mbgltmirrorbiteclipseflashdatasheeten.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL512T10FHI020 S29GL512T10FHI020 Hersteller : Infineon Technologies 29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf NOR Flash PNOR
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S29GL512T10FHI020 S29GL512T10FHI020 Hersteller : Infineon Technologies infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Verified
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S29GL512T10FHI020 S29GL512T10FHI020 Hersteller : INFINEON 2309620.pdf Description: INFINEON - S29GL512T10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
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