S29GL512T11FHIV10 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Verified
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 13.82 EUR |
| 10+ | 12.27 EUR |
| 25+ | 11.70 EUR |
| 40+ | 11.42 EUR |
| 180+ | 10.94 EUR |
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Technische Details S29GL512T11FHIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, Speichergröße: 512Mbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote S29GL512T11FHIV10 nach Preis ab 11.81 EUR bis 15.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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S29GL512T11FHIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Nor |
auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL512T11FHIV10 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL512T11FHIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL512T11FHIV10 | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512T11FHIV10 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
S29GL512T11FHIV10 Parallel FLASH memories - integ. circ. |
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