S29GL512T11FHIV10 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Verified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.45 EUR |
| 10+ | 14.6 EUR |
| 25+ | 13.92 EUR |
| 40+ | 13.59 EUR |
| 180+ | 13.02 EUR |
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Technische Details S29GL512T11FHIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, Speichergröße: 512Mbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote S29GL512T11FHIV10 nach Preis ab 14.35 EUR bis 18.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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S29GL512T11FHIV10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL512T11FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL512T11FHIV10 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| S29GL512T11FHIV10 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 17.9 EUR |
| 15+ | 15.76 EUR |
| 25+ | 14.51 EUR |
| 50+ | 14.46 EUR |
| 100+ | 14.4 EUR |
| 250+ | 14.35 EUR |
| S29GL512T11FHIV10 |
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Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
NOR Flash PNOR
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.27 EUR |
| 10+ | 16.97 EUR |
| 25+ | 16.45 EUR |
| 50+ | 16.06 EUR |
| 100+ | 15.33 EUR |
| 250+ | 14.96 EUR |
| 500+ | 14.72 EUR |
| S29GL512T11FHIV10 |
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Hersteller: Cypress Semiconductor
NOR Flash Nor
NOR Flash Nor
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)