S3M0016120D

S3M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS


Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 732W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:

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Technische Details S3M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W, Mounting: THT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 85A, On-state resistance: 25mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 732W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 287nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -4...18V, Pulsed drain current: 250A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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S3M0016120D S3M0016120D Hersteller : SMC DIODE SOLUTIONS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 732W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
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