auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.38 EUR |
| 10+ | 9.64 EUR |
| 25+ | 9.19 EUR |
| 50+ | 9.03 EUR |
| 100+ | 8.85 EUR |
| 260+ | 8.5 EUR |
| 520+ | 8.4 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details S80KS2564GACHI040 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 49Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote S80KS2564GACHI040 nach Preis ab 9.4 EUR bis 11.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S80KS2564GACHI040 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGAPackaging: Tray Package / Case: 49-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
S80KS2564GACHI040 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 49Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Hersteller : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Hersteller : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Hersteller : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus |
Produkt ist nicht verfügbar |