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S80KS2564GACHI040 Infineon Technologies


Infineon_Data_Sheet_HYPERRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
DRAM SPCM
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Technische Details S80KS2564GACHI040 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 49Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S80KS2564GACHI040 S80KS2564GACHI040 INFINEON 3770971.pdf Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 49Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.74 EUR
17+14.48 EUR
25+12.96 EUR
50+12.64 EUR
100+12.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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S80KS2564GACHI040 S80KS2564GACHI040 Infineon Technologies Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588 Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 35 ns
Memory Interface: HyperBus
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8)
Memory Format: PSRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 49-VBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.89 EUR
10+16.61 EUR
25+16.11 EUR
50+15.73 EUR
100+15.35 EUR
260+14.83 EUR
520+14.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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S80KS2564GACHI040 3770971.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Anzahl der Pins: 49Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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S80KS2564GACHI040 Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 35 ns
Memory Interface: HyperBus
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8)
Memory Format: PSRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 49-VBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
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