S80KS2564GACHI040 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 11.32 EUR |
10+ | 10.4 EUR |
25+ | 10.19 EUR |
40+ | 10.15 EUR |
80+ | 9.11 EUR |
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Technische Details S80KS2564GACHI040 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 49Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote S80KS2564GACHI040 nach Preis ab 4.7 EUR bis 15.54 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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S80KS2564GACHI040 | Hersteller : Infineon Technologies | DRAM HyperRAM |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S80KS2564GACHI040 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 49Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S80KS2564GACHI040 | Hersteller : Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S80KS2564GACHI040 | Hersteller : Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S80KS2564GACHI040 | Hersteller : Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
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