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S80KS5122GABHI020

S80KS5122GABHI020 Infineon Technologies

Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 181 Stücke:
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Anzahl Preis
2+13.09 EUR
10+12.18 EUR
25+11.81 EUR
40+11.62 EUR
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Technische Details S80KS5122GABHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote S80KS5122GABHI020 nach Preis ab 10.17 EUR bis 14.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
S80KS5122GABHI020 S80KS5122GABHI020 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_S80KS5122_1_8_V_512_Mbit_HyperBus_Interfa-3003300.pdf DRAM SPCM
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1+14.33 EUR
10+12.87 EUR
25+11.62 EUR
100+11.48 EUR
250+11.16 EUR
338+10.60 EUR
1014+10.17 EUR
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S80KS5122GABHI020 S80KS5122GABHI020 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0014785292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 266 Stücke:
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S80KS5122GABHI020 Hersteller : Infineon Technologies s80ks5122.pdf PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
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S80KS5122GABHI020 Hersteller : Infineon Technologies s80ks5122.pdf PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns Tray
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