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S80KS5123GABHI020

S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies

n_S80KS5123_1.8_V_512_Mbit_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_Self_Refresh_DRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
DRAM SPCM
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Technische Details S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S80KS5123GABHI020 S80KS5123GABHI020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.47 EUR
12+20.23 EUR
25+18.37 EUR
50+18.29 EUR
100+18.23 EUR
250+18.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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S80KS5123GABHI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
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Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
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Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
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Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
auf Bestellung 310 Stücke:
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54+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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