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S80KS5123GABHI020

S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.

Weitere Produktangebote S80KS5123GABHI020 nach Preis ab 12.22 EUR bis 22.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S80KS5123GABHI020 S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies n_S80KS5123_1.8_V_512_Mbit_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_Self_Refresh_DRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf DRAM SPCM
auf Bestellung 22 Stücke:
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1+21.91 EUR
50+21.38 EUR
100+20.86 EUR
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S80KS5123GABHI020 S80KS5123GABHI020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.79 EUR
12+19.66 EUR
25+17.86 EUR
50+16.04 EUR
100+15.66 EUR
250+14.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
auf Bestellung 310 Stücke:
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54+12.22 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+12.22 EUR
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S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
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Hersteller: Infineon Technologies
DRAM SPCM
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Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
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Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
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