
SBC847BDW1T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.09 EUR |
6000+ | 0.08 EUR |
9000+ | 0.08 EUR |
15000+ | 0.07 EUR |
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Technische Details SBC847BDW1T1G onsemi
Description: ONSEMI - SBC847BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote SBC847BDW1T1G nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.44 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SBC847BDW1T1G | Hersteller : onsemi |
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SBC847BDW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2094 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SBC847BDW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
auf Bestellung 2094 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC847BDW1T1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 16540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SBC847BDW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 32319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC847BDW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 32319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC847BDW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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