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SBC857BDW1T1G

SBC857BDW1T1G onsemi

bc856bdw1t1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.071 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.061 EUR
15000+0.056 EUR
21000+0.054 EUR
30000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SBC857BDW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote SBC857BDW1T1G nach Preis ab 0.087 EUR bis 0.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SBC857BDW1T1G SBC857BDW1T1G onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
97+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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SBC857BDW1T1G SBC857BDW1T1G onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 45
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SBC857BDW1T1G SBC857BDW1T1G ONSEMI BC85xBDW1T1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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SBC857BDW1T1G SBC857BDW1T1G ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SBC857BDW1T1G SBC857BDW1T1G ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SBC857BDW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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97+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
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SBC857BDW1T1G
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Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 45
auf Bestellung 1519 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
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Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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SBC857BDW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SBC857BDW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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