SBL2012A102H
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EMI/RFI дросель (chip bead) імпеданс 1000 Ом (100МГц), DCR 0.45 Ом, 0.1А SMD 0805
EMI/RFI дросель (chip bead) імпеданс 1000 Ом (100МГц), DCR 0.45 Ом, 0.1А SMD 0805
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Technische Details SBL2012A102H
EMI/RFI дросель (chip bead) імпеданс 1000 Ом (100МГц), DCR 0.45 Ом, 0.1А SMD 0805.