SCS108AGC Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 345pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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Technische Details SCS108AGC Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 345pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SCS108AGC | ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 8A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCS108AGC |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 8A
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