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SCS210ANHRTRL

SCS210ANHRTRL Rohm Semiconductor

scs210anhr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
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Technische Details SCS210ANHRTRL Rohm Semiconductor

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCS210ANHRTRL SCS210ANHRTRL Rohm Semiconductor scs210anhr-e.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
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SCS210ANHRTRL SCS210ANHRTRL ROHM Semiconductor scs210anhr-e.pdf SiC Schottky Diodes 650V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
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SCS210ANHRTRL SCS210ANHRTRL Rohm Semiconductor scs210anhr-e.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
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3+9.37 EUR
10+6.22 EUR
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SCS210ANHRTRL SCS210ANHRTRL ROHM 4316398.pdf Description: ROHM - SCS210ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 11 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.2 EUR
37+6.31 EUR
100+4.18 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
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Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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Description: ROHM - SCS210ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 11 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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