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SCS212AJHRTLL

SCS212AJHRTLL Rohm Semiconductor

scs212ajhr-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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Technische Details SCS212AJHRTLL Rohm Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-263AB, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Not For New Designs, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V.

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SCS212AJHRTLL SCS212AJHRTLL Hersteller : Rohm Semiconductor scs212ajhr-e.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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SCS212AJHRTLL SCS212AJHRTLL Hersteller : ROHM Semiconductor scs212ajhr-e.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
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SCS212AJHRTLL SCS212AJHRTLL Hersteller : Rohm Semiconductor scs212ajhr-e.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
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2+21.29 EUR
10+ 18.26 EUR
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SCS212AJHRTLL SCS212AJHRTLL Hersteller : Rohm Semiconductor scs212ajhr-e.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
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