
SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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Technische Details SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote SCS220AE2GC11 nach Preis ab 7.39 EUR bis 17.05 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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SCS220AE2GC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCS220AE2GC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
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SCS220AE2GC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
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