SCS220AEC Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 9.34 EUR |
| 21+ | 8.2 EUR |
| 50+ | 7.62 EUR |
| 100+ | 7.26 EUR |
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Technische Details SCS220AEC Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-247, Current - Average Rectified (Io): 20A, Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote SCS220AEC
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SCS220AEC | ROHM Semiconductor |
 Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A TO-247 |
auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCS220AEC |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A TO-247
Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A TO-247
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)