SCS304APC9 Rohm Semiconductor
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Technische Details SCS304APC9 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SILICON CARBIDE 650V 4A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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SCS304APC9 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE SILICON CARBIDE 650V 4APackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
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SCS304APC9 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
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SCS304APC9 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 3rd Gen SiC SBD 4A 6nC TO-220ACP |
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