SCS312AGC16

SCS312AGC16 ROHM Semiconductor


scs312ag-e.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.91 EUR
10+6.72 EUR
100+5.46 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SCS312AGC16 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCS312AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACGE, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACGE, Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote SCS312AGC16

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SCS312AGC16 SCS312AGC16 Hersteller : ROHM scs312ag-e.pdf Description: ROHM - SCS312AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACGE
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACGE
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCS312AGC16 SCS312AGC16 Hersteller : Rohm Semiconductor scs312ag-e.pdf Description: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH