SCS320AHGC9

SCS320AHGC9 Rohm Semiconductor


scs320ahg-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
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Technische Details SCS320AHGC9 Rohm Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220ACP, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SCS320AHGC9 SCS320AHGC9 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS320AH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP
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SCS320AHGC9 SCS320AHGC9 Hersteller : Rohm Semiconductor scs320ahg-e.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
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SCS320AHGC9 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCS320AH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 81A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.45kA
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SCS320AHGC9 SCS320AHGC9 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS320AH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
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SCS320AHGC9 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCS320AH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 81A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.45kA
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Technology: SiC
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