SCS320AHGC9 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 11.85 EUR |
| 25+ | 11.17 EUR |
| 50+ | 10.52 EUR |
| 100+ | 9.94 EUR |
| 250+ | 9.48 EUR |
| 500+ | 9.09 EUR |
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Technische Details SCS320AHGC9 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220ACP, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote SCS320AHGC9 nach Preis ab 10.58 EUR bis 20.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCS320AHGC9 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP |
auf Bestellung 1361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320AHGC9 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP
SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP
auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.94 EUR |
| 10+ | 15.14 EUR |
| 100+ | 12.63 EUR |
| 500+ | 11.27 EUR |
| 1000+ | 10.58 EUR |


