SCT012H90G3AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 60A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 42.05 EUR |
| 10+ | 30.38 EUR |
| 100+ | 30.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SCT012H90G3AG STMicroelectronics
Description: H2PAK-7, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: H2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 60A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote SCT012H90G3AG nach Preis ab 43.52 EUR bis 105.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT012H90G3AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
|
SCT012H90G3AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| SCT012H90G3AG | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 234-238 Tag (e) |
|
| SCT012H90G3AG |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 105.53 EUR |
| 5+ | 90.01 EUR |
| 10+ | 74.8 EUR |
| SCT012H90G3AG |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SCT012H90G3AG |
|
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 48.97 EUR |
| 10+ | 43.52 EUR |