SCT012H90G3AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details SCT012H90G3AG STMICROELECTRONICS
Description: H2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 60A, 18V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SCT012H90G3AG nach Preis ab 36.57 EUR bis 41.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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SCT012H90G3AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT012H90G3AG | Hersteller : STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 234-238 Tag (e) |
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SCT012H90G3AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 110A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCT012H90G3AG | Hersteller : STMicroelectronics | SCT012H90G3AG SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCT012H90G3AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 110A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SCT012H90G3AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: H2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 60A, 18V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
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