SCT015W120G3-4AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 673W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 109.63 EUR |
| 5+ | 95.12 EUR |
| 10+ | 81.63 EUR |
| 50+ | 76.52 EUR |
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Technische Details SCT015W120G3-4AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 673W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT015W120G3-4AG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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SCT015W120G3-4AG | STMicroelectronics |
Description: TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 60A, 18V Power Dissipation (Max): 673W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SCT015W120G3-4AG | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCT015W120G3-4AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 129A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCT015W120G3-4AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 673W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Description: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 673W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
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| SCT015W120G3-4AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
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Stück im Wert von UAH
| SCT015W120G3-4AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 129A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 129A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
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