SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
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Technische Details SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 673W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT015W120G3-4AG nach Preis ab 76.52 EUR bis 109.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SCT015W120G3-4AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 673W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT015W120G3-4AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
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Verlustleistung: 673W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 200°C
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 10+ | 81.63 EUR |
| 50+ | 76.52 EUR |