Produkte > STMICROELECTRONICS > SCT015W120G3-4AG
SCT015W120G3-4AG

SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics

sct015w120g3-4ag.pdf Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
Anzahl Preis
1+78.58 EUR
10+70.05 EUR
25+65.86 EUR
50+63.68 EUR
100+61.46 EUR
250+59.28 EUR
600+56.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 673W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SCT015W120G3-4AG

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SCT015W120G3-4AG SCT015W120G3-4AG Hersteller : STMICROELECTRONICS sct015w120g3-4ag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 673W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG Hersteller : STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 129A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG Hersteller : STMicroelectronics en.dm00977491.pdf SCT015W120G3-4AG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG Hersteller : STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG SCT015W120G3-4AG Hersteller : STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf Description: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 673W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH