SCT016H120G3AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
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Technische Details SCT016H120G3AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 652W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Weitere Produktangebote SCT016H120G3AG nach Preis ab 28.33 EUR bis 54.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCT016H120G3AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT016H120G3AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 652W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT016H120G3AG |
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 44.97 EUR |
| 10+ | 32.51 EUR |
| 100+ | 32.02 EUR |
| 500+ | 30.94 EUR |
| 1000+ | 28.33 EUR |
| SCT016H120G3AG |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 54.1 EUR |
| 6+ | 43.3 EUR |
| 10+ | 33.57 EUR |