SCT016H120G3AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
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Technische Details SCT016H120G3AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT016H120G3AG
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Preis |
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SCT016H120G3AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SCT016H120G3AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT016H120G3AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 112A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
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| SCT016H120G3AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) |
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| SCT016H120G3AG | Hersteller : STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE |
Produkt ist nicht verfügbar |