SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 32.17 EUR |
| 10+ | 23.84 EUR |
| 100+ | 16.92 EUR |
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Technische Details SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 398W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote SCT018W65G3-4AG nach Preis ab 37.19 EUR bis 52.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SCT018W65G3-4AG | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 398W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT018W65G3-4AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 5+ | 52.3 EUR |
| 6+ | 44.43 EUR |
| 10+ | 37.19 EUR |