SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
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Technische Details SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 398W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
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SCT018W65G3-4AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 398W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| SCT018W65G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics | SCT018W65G3-4AG |
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| SCT018W65G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A Automotive 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCT018W65G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics | SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors |
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SCT018W65G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 398W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2077 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
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