SCT020HU120G3AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 40.1 EUR |
| 10+ | 29.95 EUR |
| 100+ | 25.93 EUR |
| 600+ | 24.53 EUR |
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Technische Details SCT020HU120G3AG STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 555W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA, Supplier Device Package: HU3PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SCT020HU120G3AG nach Preis ab 43.27 EUR bis 62.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SCT020HU120G3AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT020HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.028 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT020HU120G3AG | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 100A; 555W; HU3PAK Case: HU3PAK Power dissipation: 555W Technology: SiC Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121nC Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCT020HU120G3AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT020HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.028 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT020HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.028 ohm, HU3PAK
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 62.72 EUR |
| 5+ | 52.56 EUR |
| 10+ | 43.27 EUR |
| SCT020HU120G3AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 100A; 555W; HU3PAK
Case: HU3PAK
Power dissipation: 555W
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 100A; 555W; HU3PAK
Case: HU3PAK
Power dissipation: 555W
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)