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SCT025H120G3AG

SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS

4398280.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73 Stücke:
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Technische Details SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
auf Bestellung 1534 Stücke:
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SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS 4398280.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS 4398280.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Description: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73 Stücke:
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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