SCT040HU120G3AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
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Technische Details SCT040HU120G3AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT040HU120G3AG nach Preis ab 20.82 EUR bis 29.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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SCT040HU120G3AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT040HU120G3AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT040HU120G3AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040HU120G3AG | Hersteller : STMicroelectronics |
SCT040HU120G3AG |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SCT040HU120G3AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) |
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