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SCT040TO65G3

SCT040TO65G3 STMicroelectronics

sct040to65g3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
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Technische Details SCT040TO65G3 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 288W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT040TO65G3 SCT040TO65G3 STMICROELECTRONICS 4420374.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SCT040TO65G3 SCT040TO65G3 STMicroelectronics sct040to65g3.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V
auf Bestellung 1 Stücke:
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SCT040TO65G3 SCT040TO65G3 STMICROELECTRONICS 4420374.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V
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Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
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