SCT040TO65G3 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 14.41 EUR |
| 10+ | 10.93 EUR |
| 100+ | 9.1 EUR |
| 500+ | 8.31 EUR |
| 1800+ | 8.29 EUR |
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Technische Details SCT040TO65G3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 288W, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SCT040TO65G3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SCT040TO65G3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 288W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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SCT040TO65G3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: TOLL (HV) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT040TO65G3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 288W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT040TO65G3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SCT040TO65G3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: TOLL (HV) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V |
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