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SCT040W120G3-4AG

SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics

sct040w120g3-4ag.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
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Technische Details SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SCT040W120G3-4AG SCT040W120G3-4AG Hersteller : STMicroelectronics sct040w120g3-4ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
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SCT040W120G3-4AG SCT040W120G3-4AG Hersteller : STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG.pdf Description: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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10+13.65 EUR
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SCT040W120G3-4AG SCT040W120G3-4AG Hersteller : STMicroelectronics sct040w120g3-4ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
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SCT040W120G3-4AG SCT040W120G3-4AG Hersteller : STMICROELECTRONICS 4384382.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SCT040W120G3-4AG Hersteller : STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
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10+26.31 EUR
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SCT040W120G3-4AG Hersteller : STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 54mΩ
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 179A
Power dissipation: 312W
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Case: HIP247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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