SCT040W120G3-4AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
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Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
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Technische Details SCT040W120G3-4AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT040W120G3-4AG nach Preis ab 20.63 EUR bis 29.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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| SCT040W120G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A |
auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040W120G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W120G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W120G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics |
SCT040W120G3-4AG |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCT040W120G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W Polarisation: unipolar Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Kind of package: tube Version: Automotive Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 179A Case: HIP247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCT040W120G3-4AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W Polarisation: unipolar Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Kind of package: tube Version: Automotive Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 179A Case: HIP247-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |