SCT040W65G3-4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 6+ | 12.43 EUR |
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Technische Details SCT040W65G3-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT040W65G3-4 nach Preis ab 9.54 EUR bis 18.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SCT040W65G3-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 400 V |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT040W65G3-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package |
auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT040W65G3-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT040W65G3-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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