SCT040W65G3-4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 18.55 EUR |
| 10+ | 15.12 EUR |
| 100+ | 12.6 EUR |
| 600+ | 11.23 EUR |
| 1200+ | 9.54 EUR |
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Technische Details SCT040W65G3-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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Preis |
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SCT040W65G3-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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