SCT055TO65G3 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.46 EUR |
| 10+ | 9.8 EUR |
| 100+ | 8.17 EUR |
| 500+ | 7.27 EUR |
| 1000+ | 6.48 EUR |
| 1800+ | 6.46 EUR |
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Technische Details SCT055TO65G3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-LL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SCT055TO65G3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LLtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT055TO65G3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |