SCT055TO65G3 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.37 EUR |
| 16+ | 14.92 EUR |
| 17+ | 12.66 EUR |
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Technische Details SCT055TO65G3 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-LL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT055TO65G3 nach Preis ab 12.66 EUR bis 17.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SCT055TO65G3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT055TO65G3 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
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Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 15+ | 17.37 EUR |
| 16+ | 14.92 EUR |
| 17+ | 12.66 EUR |