SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS
Description: H2PAK-7, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: H2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 223W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote SCT070H120G3AG nach Preis ab 15.54 EUR bis 31.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SCT070H120G3AG | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 234-238 Tag (e) |
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SCT070H120G3AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT070H120G3AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.81 EUR |
| 10+ | 20.47 EUR |
| 25+ | 20.12 EUR |
| 50+ | 19.52 EUR |
| 100+ | 16.78 EUR |
| 250+ | 16.48 EUR |
| 500+ | 15.54 EUR |
| SCT070H120G3AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 31.33 EUR |
| 10+ | 25.41 EUR |
| 11+ | 20.05 EUR |