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SCT070HU120G3AG STMICROELECTRONICS


4384377.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT070HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+21.79 EUR
50+21.36 EUR
100+20.91 EUR
250+20.48 EUR
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Technische Details SCT070HU120G3AG STMICROELECTRONICS

Description: HU3PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 223W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Supplier Device Package: HU3PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT070HU120G3AG SCT070HU120G3AG STMICROELECTRONICS 4384377.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT070HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.81 EUR
9+27.96 EUR
10+21.79 EUR
50+21.36 EUR
100+20.91 EUR
250+20.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SCT070HU120G3AG 4384377.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT070HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10+21.79 EUR
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100+20.91 EUR
250+20.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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