SCT1000N170 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: HIP247 IN LINE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 13.75 EUR |
| 10+ | 9.40 EUR |
| 100+ | 6.94 EUR |
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Technische Details SCT1000N170 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT1000N170 nach Preis ab 8.25 EUR bis 14.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ 7 A |
auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
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| SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
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| SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
SCT1000N170 THT N channel transistors |
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