SCT1000N170 STMicroelectronics
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.55 EUR |
| 10+ | 9.63 EUR |
| 100+ | 7.11 EUR |
| 600+ | 6.49 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SCT1000N170 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT1000N170 nach Preis ab 6.94 EUR bis 13.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: HIP247 IN LINEPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
SCT1000N170 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
| SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 7A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 96W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
| SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 7A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 96W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |