SCT1000N170 STMicroelectronics
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Technische Details SCT1000N170 STMicroelectronics
Description: HIP247 IN LINE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
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SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
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| SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
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| SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: HIP247 IN LINE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V |
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| SCT1000N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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