SCT1000N170AG STMicroelectronics
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Technische Details SCT1000N170AG STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ohm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SCT1000N170AG | Hersteller : STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ohm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package |
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