SCT10N120 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 13.57 EUR |
| 30+ | 7.3 EUR |
| 120+ | 6.55 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SCT10N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SCT10N120
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT10N120 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
SCT10N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an HiP247 package |
Produkt ist nicht verfügbar |