SCT10N120 STMicroelectronics
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Technische Details SCT10N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT10N120 nach Preis ab 5.99 EUR bis 13.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SCT10N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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SCT10N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V |
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SCT10N120 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SCT10N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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SCT10N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCT10N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCT10N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 150W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT10N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm |
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| SCT10N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 150W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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