SCT20N120 STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.61 EUR |
| 10+ | 13.3 EUR |
| 100+ | 11.47 EUR |
| 600+ | 11.3 EUR |
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Technische Details SCT20N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SCT20N120 nach Preis ab 10.86 EUR bis 22.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SCT20N120 | STMicroelectronics |
 Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Part Status: Active Supplier Device Package: HiP247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT20N120 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCT20N120 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.16 EUR |
| 30+ | 13.34 EUR |
| 120+ | 11.41 EUR |
| 510+ | 10.86 EUR |
| SCT20N120 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)