SCT2160KEHRC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 7+ | 21.5 EUR |
| 25+ | 19.77 EUR |
| 50+ | 18.28 EUR |
| 100+ | 16.95 EUR |
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Technische Details SCT2160KEHRC11 Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SCT2160KEHRC11 nach Preis ab 13.16 EUR bis 25.42 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SCT2160KEHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT2160KEHRC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1200V, 22A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET |
auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT2160KEHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT2160KEHRC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT2160KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |