SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 16+ | 9.32 EUR |
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Technische Details SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 108W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT2280KEGC11 nach Preis ab 8.56 EUR bis 17.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SCT2280KEGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT2280KEGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
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SCT2280KEGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-247N Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V |
auf Bestellung 1663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT2280KEGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT2280KEGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 108W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT2280KEGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 108W Case: TO247 Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 364mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SCT2280KEGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 108W Case: TO247 Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 364mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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