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SCT2280KEGC11

SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 108W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor sct2280ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT2280KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
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SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 ROHM sct2280ke-e.pdf Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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