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SCT2450KEC ROHM - Japan

Hersteller: ROHM - Japan
SiC-N-Ch 1200V 10A 85W 0,585R TO247 SCT2450KEC : Rohm SCT2450KEC TSCT2450kec
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Technische Details SCT2450KEC ROHM - Japan

Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V.

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